بهبود عملکرد نانو ترانزیستورهای اثر میدان باله ای با اصلاح جداره های تیز در ساختار افزاره
Improving the performance of nano scale Fin-FET transistors by modifying the sharp corners effect
نویسندگان :
فاطمه کریمی ( اموزش عالی پویش قم )
چکیده
با اصلاح و ترمیم شکل کانال در افزاره های چند گیتی باله ای شکل، سطح تحت پوشش گیت نیز تغییر خواهد کرد. از آنجا که در تکنولوژی نانو مقیاس خازن اکسید گیت و میزان کنترل گیت بر کانال از اهمیت زیادی در تعیین کارایی و قابلیت اطمینان به افزاره برخوردارند، مدلی تحلیلی برای محاسبه خازن های گیت و کانال جهت کانال های بی قاعده و اصلاح شده از ترانزیستورهای باله ای ارائه می شود، تا در نهایت میزان بار متحرک کانال به عنوان معیاری از میزان جریان و هدایت کانال محاسبه گردد. نتایج مدل تحلیلی که برای هر شکل کانالی قابل تعمیم است، نشان می دهد که ساختار باله ای با جداره مدور که به کاهش اثر حاملهای داغ کمک می کند از حداکثر میزان کنترل گیت در بهبود اثرات کانال کوتاه نیز برخوردار است. در حالیکه ساختارهایی با امتداد بسط داده شده که جهت هدایت گرمای انباشته شده در کانال معرفی شده بودند دارای چگالی بار بیشتر بوده و میزان نوسانات زیر آستانه بالاتری نیز دارند.کليدواژه ها
اثرات جداره، حاملهای داغ، خود گرمایی، اثر کانال کوتاه، ترانزیستور باله ای، کانال اصلاح شده، قابلیت اطمینان.کد مقاله / لینک ثابت به این مقاله
برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:فاطمه کریمی , 1401 , بهبود عملکرد نانو ترانزیستورهای اثر میدان باله ای با اصلاح جداره های تیز در ساختار افزاره , سومین کنفرانس ملی میکرو/نانوفناوری
دیگر مقالات این رویداد
© کلیه حقوق متعلق به دانشگاه بین المللی قزوین می‌باشد.