مقاومت گرمایی در فصل مشترک ساختار Si Ge به روش شبیه سازی دینامیک مولکولی
Thermal resistance at the interface of Si Ge structure using molecular dynamics simulation
نویسندگان :
علی رجب پور ( دانشگاه امام ) , احسان طاهران ( دانشگاه امام ) , رضا کریمی کلایه ( دانشگاه امام )
چکیده
اتلاف گرما از طریق رابط ها در نانوقطعاتی که مانع از انتقال گرما می شوند، چالش برانگیز است. بر این اساس، رویکردهای موثری برای بهینه‌سازی انتقال حرارت در سطوح مشترک مورد نیاز است. در این نوشتار، با استفاده از روش شبیه‌سازی دینامیک مولکولی، به طور سیستماتیک بهینه‌سازی انتقال گرمای سطح مشترک در ساختار Si Ge با تغییر درصد اختلاط اتمهای Si وGe در ناحیه فصل مشترک بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که مقدار مقاومت گرمایی سطح مشترک در درصد اختلاط حدود 15% (تعداد اتمهای Ge به تعداد کل اتمها در ناحیه فصل مشترک با طول 1nm) کمینه است . نتایج این تحقیق می تواند در کاربردهای گرمایی Si Geدر تراشه های نانوالکترونیک و یا پدیده ترموالکتریک مفید واقع شود.کليدواژه ها
مقاومت گرمایی سطح مشترک، شبیه سازی دینامیک مولکولی، ترابرد گرما در مقیاس نانوکد مقاله / لینک ثابت به این مقاله
برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:علی رجب پور , 1401 , مقاومت گرمایی در فصل مشترک ساختار Si Ge به روش شبیه سازی دینامیک مولکولی , سومین کنفرانس ملی میکرو/نانوفناوری
دیگر مقالات این رویداد
© کلیه حقوق متعلق به دانشگاه بین المللی قزوین می‌باشد.