چکیده

در این مقاله خواص الکتریکی و پارامترهای ترموالکتریکی نانو ساختار دوبعدی C4ClF با رهیافت نظریه تابعی چگالی مطالعه شده است. نتایج نشان میدهد که C4ClF یک گاف نواری مستقیم در مرکز منطقه بریلوئن به اندازه eV 88 0 دارد. بیشینه ضریب سیبک برای آلایش نوع P برابر است با µV K 1584و برای آلایش نوع n برابر با µV K 1514- می باشد. همچنین با افزایش دما ضریب سیبک کاهش می یابد و بیشترین مقدار ضریب سیبک در بازه دمایی 200-300 کلوین روی می دهد. ضریب توان برای آلایش نوع n بیشینه است و با افزایش دما افزایش می یابد و بیشترین مقدار ضریب توان در بازه دمایی 900-1100 کلوین روی می دهد.

کليدواژه ها

خواص ترموالکتریکی، رسانندگی الکتریکی، رسانندگی گرمایی الکتریکی، ضریب سیبک، نظریه تابع چگالی

کد مقاله / لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :

نحوه استناد به مقاله

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
سمیه احمدی سلطانسرائی , 1401 , ویژگی های ترموالکتریکی دیامان نیمرسانای C4ClF , سومین کنفرانس ملی میکرو/نانوفناوری