چکیده

سیلیکون به عنوان فراوان ترین عنصر در پوسته زمین و متداول ترین ماده مورد استفاده در تجهیزات الکترونیکی و نوری، توجه بسیاری از محققین را برای تغییر خواص این ماده برای بهبود خواص الکترونیکی و نوری آن به خود جلب کرده است. یکی از این کوشش ها، تلاش برای کاهش بازتاب سطحی این ماده با استفاده از روش های مختلف است. اما در بین این روش های مختلف، استفاده از لیزر در ایجاد ریزساختارهای سطحی از اهمیت و توجه ویژه ای برخوردار بوده است زیرا در این روش نیازی به ماسک و مواد اضافی دیگر نیست. در این کار با استفاده از روش‌های نظری که این سازه‌ها را با قضیه توری پراش در مقیاس میکرومتری تحلیل می‌کنند، بازتاب سطحی ریزساختار ایجاد شده توسط تابش لیزر اگزایمر بر روی سطح سیلیکونی شبیه‌سازی می‌شود. روش C نظری (که به روش تبدیل مختصات نیز معروف است) با تقریب این ریزساختارها به سازه های مثلثی و ذوزنقه ای، نتایج بسیار قابل قبولی را در مقایسه با نتایج تجربی ایجاد کرده است. با کمک این نتایج، ما توانستیم پاسخ بازتابی سطح ریزساختاری را با تغییرات در مورفولوژی سطح آن پیش بینی کنیم.

کليدواژه ها

ریزساختار سطح، سیلیکون، لیزر اگزایمر، توری، روش C

کد مقاله / لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :

نحوه استناد به مقاله

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
حمیدرضا دهقان پور , 1401 , تحلیل و پیش‌بینی بازتاب سطحی سیلیکون (سلول خورشیدی) با ریزساختار سطحی منظم بر اساس مورفولوژی سطح آن توسط روش نظری C , سومین کنفرانس ملی میکرو/نانوفناوری