اثر درصد تزریق عنصر B در نانونوار ژرمنین دسته صندلی روی خواص الکترونیکی آن
The effect of the percentage of B doping into armchair germanene nanoribbons on its electronic properties
نویسندگان :
فهیمه بهزادی ( دانشگاه فسا ) , شریعه جمالزاده خیرآبادی ( دانشگاه آزاد اسلامی واحد صفاشهر )
چکیده
چكيده در این مقاله، تاثیر تزریق کردن عنصر B در نانونوار ژرمنین دسته صندلی بر خواص الکترونیکی آن بررسی کردیم. نانونوار ژرمنین دسته صندلی که با F2 در لبه ها عامل دار شده است، یک نیمه رسانا با گاف انرژی 0.12eV است. با تزریق عنصر B در آن، خواص الکترونیکی آن تغییر می کند و از نیمه رسانا به رسانا تبدیل می شود. در هر سه نمونه رفتار مقاومت دیفرانسیلی منفی مشاهده می شود. اولین پدیده مقاومت دیفرانسیلی منفی در دو نمونه GeNR-1B و GeNR-2B در ولتاژ حدود 0.2V اتفاق می افتد و این پدیده برای نمونه GeNR در ولتاژ حدود 0.8V اتفاق می افتد. بیشترین نسبت قله به دره مربوط به نمونه GeNR-1B است.کليدواژه ها
نانونوار ژرمنین، دسته صندلی، خواص الکترونیکی، نظریه تابع چگالی، تزریق عنصر B، مقاومت دیفرانسیلی منفیکد مقاله / لینک ثابت به این مقاله
برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:فهیمه بهزادی , 1401 , اثر درصد تزریق عنصر B در نانونوار ژرمنین دسته صندلی روی خواص الکترونیکی آن , سومین کنفرانس ملی میکرو/نانوفناوری
دیگر مقالات این رویداد
© کلیه حقوق متعلق به دانشگاه بین المللی قزوین می‌باشد.