بررسی حالت‌های مقید در یک نانوسیم کوانتومی هسته-پوسته GaP InP با مدولاسیون شعاعی
Investigation of confined states in a GaP InP core-shell quantum nanowire with radial modulation
نویسندگان :
بنت الهدی امانت ( دانشگاه پیام نور ) , محمدرضا کازرانی وحدانی ( دانشگاه مالک اشتر )
چکیده
در این مقاله حالت‌های مقید سه بعدی محدود در یک نانوسیم InP که بخش محدودی از آن توسط یک پوستهGaP یکنواخت پوشانده شده است، بررسی شده است. برای این منظور، براساس تقریب موثر جرم و با استفاده از روش المان محدود، حالت‌های انرژی الکترونی سیستم محاسبه شد. نتایج نشاندهندهی وجود حداقل یک حالت مقید انرژی در ناحیه‌ی مدوله شده به ازای هر مقدار عدد کوانتمی اندازه حرکت زاویه‌ای می‌باشد. تعداد این حالت‌های مقید با افزایش طول ناحیه‌مدولاسیون افزایش می‌یابد. بررسی نشان می‌دهد این حالت‌ها در اندازه حرکت‌های زاویه‌ای بزرگتر بیشتر به ناحیه‌ی هسته-پوسته مقید هستند. این امر سبب افزایش تعداد حالت‌های مقید و افزایش فاصله‌ی آن‌ها با پیوستار انرژی ناشی از بخش بینهایت سیستم می‌شود. علاوه بر این مقایسه انرژی ترازها نشان دهنده‌ی آن است که انرژی برخی از ترازها با اندازه حرکت زاویه‌ای m=1 در پیوستار انرژی کانال m=0 قرار می‌گیرد که نشاندهندهی پدیده‌ی ترازهای مقید در پیوستار ناشی از هندسه مساله می‌باشد.کليدواژه ها
نانو سیم هسته- پوسته، مدولاسیون شعاعی، پدیده پاد برخورد حالتهاکد مقاله / لینک ثابت به این مقاله
برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:بنت الهدی امانت , 1401 , بررسی حالت‌های مقید در یک نانوسیم کوانتومی هسته-پوسته GaP InP با مدولاسیون شعاعی , سومین کنفرانس ملی میکرو/نانوفناوری
دیگر مقالات این رویداد
© کلیه حقوق متعلق به دانشگاه بین المللی قزوین می‌باشد.