چکیده

Nitrogen doped MoS2 quantum dots (N- MoS2 QDs) are fabricated by pulsed laser ablation (PLA) process in liquid nitrogen (LN2). In fact not only LN2 facilitates the condensation of the laser-induced plasma plume to produce MoS2 QDs and some by-products such as nanosheet but also provides an optimum condition for N-doped MoS2 synthesis as a p-type semiconductor. The structural and optical properties synthesized products are investigated using transmission electron microscopy (TEM) UV−vis−near infrared absorption spectroscopy and photoluminescence Spectroscopy techniques. The TEM image shows formation of MoS2 QDs. The Tuck plot is observed for a direct band-gap MoS2 QDs (4.18 eV). Thus PLA provides a single-stage way to clean and green synthesis the MoS2 QDs suspension without a need of high vacuum devices and additional chemical components. Moreover doping provides an advantage to engineering the optical and electrical characteristics of MoS2.

کليدواژه ها

MoS2 quantum dots Pulsed laser ablation Liquid nitrogen Nitrogen doping.

کد مقاله / لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :

نحوه استناد به مقاله

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
پرویز پروین , 1401 , سنتز درجا نقاط کوانتومی MoS2 آلاییده‌شده با نیتروژن با استفاده از روشی کندکی لیزری در محیط نیتروژن مایع , سومین کنفرانس ملی میکرو/نانوفناوری